מספר מוצר של יצרן:
TSM60N380CZ C0G
Product Overview
יצרן:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
TSM60N380CZ C0G-DG
תיאור:
MOSFET N-CHANNEL 600V 11A TO220
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
מלאי:
2000 יחידות חדשות מק originales במלאי
12894375
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TSM60N380CZ C0G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Taiwan Semiconductor
אריזות
Tube
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
11A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
20.5 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1040 pF @ 100 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
125W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-220
חבילה / מארז
TO-220-3
מספר מוצר בסיסי
TSM60
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TSM60N380CZ C0G-DG
TSM60N380CZC0G
חבילה סטנדרטית
50
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
IXTP12N65X2
יצרן
IXYS
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IXTP12N65X2-DG
מחיר ליחידה
2.28
סוג משאב
Similar
מספר חלק
TK12E60W,S1VX
יצרן
Toshiba Semiconductor and Storage
כמות זמינה
50
DiGi מספר חלק
TK12E60W,S1VX-DG
מחיר ליחידה
1.42
סוג משאב
Similar
מספר חלק
IPP80R360P7XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
IPP80R360P7XKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.04
סוג משאב
Similar
מספר חלק
SPP11N60C3XKSA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
0
DiGi מספר חלק
SPP11N60C3XKSA1-DG
מחיר ליחידה
1.47
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
PSMN4R2-60PLQ
MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
TSM033NB04LCR RLG
MOSFET N-CH 40V 21A/121A 8PDFN
TSM120NA03CR RLG
MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN
